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露光の大まかなフローについて

露光技術

露光装置について

レジストプロセスについて

露光装置

光源の推移
光リソグラフィではさまざまな波長の光が使用されています。現在の主流としては、エキシマレーザーのArF(波長193nm)、KrF(波長248nm)などがあります。さらに次期露光装置光源としてはEUV(ExtreamUltraviolet)、電子ビームなどがあります。しかし次期光源を量産技術として確立するためには、マスク、レジスト、露光装置ともに多くの課題があり、まだまだ研究段階という状況です。
光源の推移





ステッパ型とスキャン型露光装置
露光装置は半導体製造装置の中でも最も高価な装置で、最新の装置価格は数十億円規模になります。この露光装置には大きく分けると、現在の主流として2種類あります。それがステッパ(アライナー)の露光装置とスキャナ(レチクルとウェーハを連動させて露光)の露光装置です。デバイスパターンが100nmを切るような微細な露光に対しては主にスキャン露光装置が使用されています。また小さなレンズを使用して大きな領域を露光できる点もメリットとなっています。


スキャン露光装置
スキャン露光ではレンズの大きさを変えずに露光領域を大きくすることが可能です。レンズの露光領域を調整することにより、レンズ収差の小さい領域を選ぶことができます。さらにウェーハ上の凹凸がある場合でもリアルタイムでフォーカスすることに調整により、露光面を凹凸に追従させることが出来、フォーカスマージンの向上が出来ます。
スキャン露光 スキャン露光


ステッパ露光装置
ウェーハ面をステップアンドリピートさせて露光させるのがステッパ露光です。デバイスパターンの微細化、寸法精度、収差、重ね合わせ精度などの面から、先端品のクリティカル層では使われなくなりました。
ステッパ露光 ステッパ露光



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